フラッシュメモリーは、電源を切っても記憶を保持できる不揮発性の半導体メモリーであり、メモリーセルの接続方式により「NAND型」と「NOR型」に分けられる。メモリーセルを直列に接続するNAND型は、並列接続のNOR型に比べ、書き込みや消去処理に優れ、大容量データの扱いに適するという特徴を持つ。NAND型は安価で、小型・大容量の記録媒体に適し、これを用いたストレージ機器は物理的な可動箇所がないため静音で故障しにくく、消費電力も低いなどメリットは多い。こうした利点から、スマートフォン(スマホ)やパソコン用ストレージ(SSD)、USBメモリーなど幅広い機器で採用されている。近年では、メモリーセルを従来の平面構造から垂直に積層することで、更なる高密度・大容量化を実現した3D NANDが主流となっている。足もとではAI(人工知能)サーバー向けに高速・大容量のNAND型の引き合いが高まっており、価格高騰と供給不足が鮮明になっている。利益率の高いAIデータセンター向けの供給が優先される構図は長期化するとみられ、スマホなど民生機器への影響も懸念されている。