ナビタスセミコンダクターの適時開示・決算・その他

UNITED STATES

SECURITIES AND EXCHANGE COMMISSION

Washington, D.C. 20549

FORM 8-K

現行レポート

1934年証券取引法第13条または第15条(d)項に基づき

報告日（報告された最も早い事象の日付）：2026年2月24日




Navitas Semiconductor Corporation

(定款に規定される登録者の正確な名称

デラウェア

001-39755

85-2560226

(State or other jurisdiction

(Commission File Number)

(IRS Employer Identification No.)

of incorporation)

3520 Challenger Street,

Torrance,

カリフォルニア

90503-1640

(主要経営陣の住所)

(Zip Code)

登録者の電話番号（市外局番を含む）：(844) 654-2642

以下のいずれかの規定に基づく登録者の提出義務を同時に満たすことを意図している場合、該当するチェックボックスにチェックを入れてください：


☐						証券法に基づく規則425に従った書面によるコミュニケーション（17 cfr 230.425)
☐						取引所法の下でのルール14a-12（17 cfr 240.14a-12）に基づく資料の勧誘。)
☐						取引所法の規則14d-2(b)に基づく開始前のコミュニケーション（17 cfr 240.14d-2(b))
☐						証券取引法の規則13e-4(c)に基づく開始前のコミュニケーション（17 cfr 240.13e-4(c))

法第12条(b)に基づき登録された有価証券：


Title of each class	Trading Symbol(s)	登録されている各取引所の名称
クラスa普通株式、額面は1株あたり0.0001ドル	NVTS	the nasdaq stock market llc

登録者が1933年証券法第405条（本章§230.405）または1934年証券取引法第12b-2条（本章§240.12b-2）に定義される新興成長企業である場合は、チェックマークで明示すること。

Emerging growth company ☐

新興成長企業の場合、登録者が証券取引法第13条(a)に基づき提供される新規または改訂された財務会計基準への準拠について延長移行期間を利用しないことを選択した場合は、チェックマークで示してください。 ☐

Item 2.02. 営業成績および財務状況

2026年2月24日、ナビタス・セミコンダクター・コーポレーションは、2025年12月31日終了の四半期および通期における未監査連結財務結果を発表するプレスリリースを発行した。当該プレスリリースは本報告書の別紙99.1として添付され、本報告書に参照により組み込まれる。

Item 9.01. 財務諸表および添付資料

(d) Exhibits.


Exhibit Number			Description
99.1			プレスリリース、2026年2月24日付
104			カバーページインタラクティブデータファイル（inline xbrlドキュメントに埋め込まれています。)

SIGNATURES

1934年証券取引法の規定に基づき、登録者は、本報告書が下記署名者により適式に授権された者として、登録者を代表して署名されるよう適式に手配した。


	NAVITAS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Dated: February 24, 2026
	By:	/s/ Chris Allexandre
		Chris Allexandre
		社長兼最高経営責任者

EX-99.1 2 exhibit991-navitassemicond.htm EX-99.1 Document

Exhibit 99.1

ナビタス・セミコンダクター、第4四半期決算を発表

および2025年度通期決算

•高成長・高電力市場（AIデータセンター、電力網・エネルギーインフラ、高性能コンピューティング、産業用電化）をターゲットとしたGaNおよび高電圧SiCソリューションに注力し、Navitas 2.0への戦略的転換を加速。2030年までに35億ドルのサービス可能市場規模（SAM）を見込む

•ハイパワー市場が四半期収益の大半を占め、これは当社史上初めてのことである。モバイル市場は25％未満に減少した。

•高電力市場を牽引役として、第1四半期から2026年を通じて売上高の前四半期比成長が回復すると見込む

カリフォルニア州トーランス、2026年2月24日 – 次世代GaNFast™窒化ガリウム（GaN）およびGeneSiC™炭化ケイ素（SiC）パワー半導体分野の業界リーダーであるNavitas Semiconductor（Nasdaq: NVTS）は本日、2025年12月31日に終了した第4四半期および2025年度通期の未監査財務結果を発表しました。

ナビタス社のクリス・アレクサンドル社長兼CEOは次のように述べた。「当社は第4四半期に生産的な成果を上げ、年を締めくくりました。ナビタス2.0への転換を加速させるとともに、業界をリードするGaNおよび高電圧SiCソリューションで高電力市場への対応に全組織の焦点を合わせる取り組みを継続した結果です。進捗の証左として、高電力市場が初めて収益の大半を占めました。また、複数の戦略的パートナーとの提携を正式化しました。特に、米国におけるGaN製造を加速させるためのグローバルファウンドリーズとの長期戦略的ファウンドリ・技術提携が注目されます。さらに、AIデータセンター、エネルギー・グリッドインフラ、高性能コンピューティング、産業用電化分野における高電力GaNおよびSiC技術の採用拡大に焦点を当てるため、市場投入戦略を合理化しました。四半期中には、AIデータセンター向け新型650V GaNの顧客向けサンプル提供を開始するとともに、中電圧100V GaNおよび超高電圧2300V・3300V SiCモジュールのサンプル提供を拡大しました。これらのソリューションは高効率と業界最高水準の信頼性を実現し、近代化されたエネルギーグリッドおよび再生可能エネルギーインフラをターゲットとしています。

当社の戦略的再編と並行して、AIが全ターゲットエンド市場における高電力ソリューションの勢いを加速し、採用を拡大する触媒としてますます重要視されています。今後、モバイルおよびコンシューマー分野への依存度を低減しつつ、高電力市場からの収益貢献増加を原動力として、第1四半期より売上高の前四半期比成長が回復すると見込んでいます。 Navitas 2.0戦略の継続的な実行、最適化されたコスト構造、洗練された市場投入戦略、加速された製品ロードマップによる効果が見込まれることから、当社は今後1年間で売上高の回復成長と、粗利益率・最終利益の漸進的な改善を両立させる軌道に乗っていると確信しています。」

2025年第4四半期財務ハイライト

•収益：2025年第4四半期の総収益は730万ドルであり、2025年第3四半期の1,010万ドル、2024年第4四半期の1,800万ドルと比較される。

•営業損失：当四半期のGAAPベース営業損失は4,140万ドルで、2025年第3四半期の1,940万ドルの損失、2024年第4四半期の3,900万ドルの損失と比較されます。非GAAPベースでは、当四半期の営業損失は1,210万ドルとなり、2025年第3四半期の1,150万ドルの損失、2024年第4四半期の1,270万ドルの損失と比較されます。

▪2025年第4四半期のGAAP基準による業績には、1,660万ドルのリストラ費用および減損損失が含まれており、このうち380万ドルは非現金支出であった。

•現金：現金及び現金同等物は、2025年12月31日時点で2億3690万ドルであり、2025年9月30日時点の1億5060万ドルと比較して増加した。

▪2025年11月に普通株式の私募を成功裏に完了し、9,560万ドルの純収入を獲得。これにより、Navitasの高出力市場への戦略的転換と加速をさらに支援。

最近の市場動向、顧客動向、技術動向のハイライト:

•米国におけるGaN技術製造を加速し、高出力市場向けに効率的で安全かつ拡張性のあるソリューションを提供するため、グローバルファウンドリーズとの長期戦略的技術・製造提携を発表。2026年末の供給開始を予定。

•AIデータセンター向け800V高電圧直流送電（HVDC）アーキテクチャおよび48V高電圧降圧（HV Buck）アーキテクチャを対象とした、100Vおよび新開発650V GaNソリューションの顧客向けサンプル提供を加速。

•画期的なオールGaN 10kW 800V-50V DC-DCプラットフォームを発表。先進的な650Vおよび100V GaNFast FETを採用し、業界トップクラスの98.5%ピーク効率を実現。

•新開発の2300Vおよび3300V超高電圧SiC製品の加速サンプリング。トレンチ支援型平面技術と革新的なパッケージングを採用し、業界最高水準の性能と信頼性を実現。

•新たに導入した第5世代GeneSiC™技術プラットフォームは、業界をリードする性能、信頼性、堅牢性を提供し、AIデータセンター、電力網・エネルギーインフラ、産業用電化分野におけるNavitasの優位性をさらに拡大します。

•サイエント・セミコンダクターズと戦略的パートナーシップを締結し、GaN製品の共同開発とインド国内のエコシステム構築を推進。「メイク・イン・インディア」構想のもと、産業用電化の流れを加速させ、その恩恵を享受することを目指す。

•アジアにおける流通チャネルを統合し、WT MicroelectronicsおよびAvnetとの戦略的かつグローバルな流通パートナーシップを構築。これにより、AIデータセンター、高性能コンピューティング、およびその他のターゲットエンド市場におけるGaNおよび高電圧SiCの採用を世界的に加速。

2026年第1四半期事業見通し

•2026年第1四半期の純収益は800万ドルから850万ドルに増加する見込みです。非GAAPベースの粗利益率は38.7％±25ベーシスポイント、非GAAPベースの営業費用は約1,500万ドルとなる見込みです。

2025年第4四半期および通期決算に関する電話会議およびウェブキャスト情報:

•日時：2026年2月24日（火）

•時間：太平洋時間午後2時（東部時間午後5時）

•フリーダイヤル：1-800-715-9871 または 1-646-307-1963

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